پویا فایل

پویا فایل

پویا فایل

پویا فایل

ترانزیستور اثر میدانی

ترانزیستور اثر میدانی

فصل اول

مشخصات JFET

1ـ1 مقدمه

ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.

اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.

شکل (1ـ1) (الف) تقویت کننده کنترل جریان (ب) تقویت کننده کنترل ولتاژ

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.

عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.

این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.

دو نوع FET در این فصل معرفی می‌شود: ترانزیستور اثر میدانی پیوندی (JFET) و ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOS-FET)، دسته MOSFET خود به دو نوع تهی و افزایشی تقسیم می‌شوند که هر دو نوع آن شرح داده می‌شوند. ترانزیستور MOSFET یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در طراحی و ساخت مدارهای مجتمع کامپیوترهاست. ثبات حرارتی، و دیگر مشخصه‌های اصلی آنها، کاربردشان را در طراحی مدارهای کامپیوتری متداول ساخته است.


2ـ1ـ ساختمان و مشخصه‌های JFETها

همانگونه که پیش از این نشان داده شد، JFET یک قطعه سه پایانه است که یک پایانه آن قادر است جریان بین دو پایانه دیگر را کنترل کند. در ترانزیستور JFET، قطعة با کانال n به مثابه قطعه اصلی و مهم به تفصیل شرح داده خواهد شد ولی بخش‌هایی برای توضیح JFET کانال p نیز اختصاص خواهد داشت.

ساختمان اصلی JFET کانال n در شکل (2ـ1) نشان داده شده است. توجه کنید که قسمت اصلی ساختمان JFET را ماده کانال n تشکیل می‌دهد که لایه‌های ماده نوع P در طرفین آن جای داده شده است. قسمت فوقانی کانال n بوسیله یک اتصال اهمی به پایانه‌ای به نام درین (D) متصل است. دو ماده نوع p به یکدیگر و به پایانه‌ای موسوم به گیت (G) وصل است. بنابراین، اساساً درین و سورس به دو انتهای کانال نوع n و گیت به دو لایه نوع p وصل می‌شود. در نبودن یک پتانسیل و تغذیه نشدن، JFET دارای دو پیوند p-n است. در نتیجه یک ناحیه تهی مطابق شکل (2ـ1) در هر پیوند بوجود می‌آید که به ناحیه مشابه آن در دیود بدون ولتاژ شباهت دارد. به یاد داشته باشید که ناحیه تهی، ناحیه‌ای است خالی از حاملهای آزاد و بنابراین ناتوان از هدایت در این ناحیه.

مثالهای مکانیکی بندرت درست هستند و اغلب گمراه کننده‌اند، اما در شکل (3ـ1) نحوه کنترل گیت FET را و علت نامگذاری پایانه‌های این قطعه نشان داده شده است. فشار منبع آب به ولتاژ اعمال شده از درین به سورس تشبیه شده است که جریان آب (الکترونها) را از طریق توپی (سورس) ایجاد می‌کند. گیت از طریق سیگنال اعمال شده (پتانسیل)، جریان آب (بار) را به «درین» کنترل می‌کند. مطابق شکل (2ـ1) پایانه‌های درین و سورس در دو انتهای کانال n قرار گرفته‌اند.

word: نوع فایل

سایز: 1.32 MB

تعداد صفحه:85



خرید فایل



لینک منبع :ترانزیستور اثر میدانی

ترانزیستور اثر میدان - ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد https://fa.wikipedia.org/wiki/ترانزیستور_اثر_میدان‎Cached Similarترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ... ‎۱ کاربردها - ‎۲ پایانه‌ها - ‎۳ اهمیت و ویژگی‌های ... - ‎۴ جستارهای وابستهترانزیستور - ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد https://fa.wikipedia.org/wiki/ترانزیستور‎Cached Similarبه همین دلیل ورودی این مدار هیچ گونه اثر بارگذاری بر روی ... نوع دیگر ترانزیستورهای اثر می‌دانی ... ترانزیستور اثر میدانی - ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد https://fa.wikipedia.org/wiki/ترانزیستور_اثر_میدانی‎Cached Similarترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) دارای سه پایه با نام‌های درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری کانال از درین به سورس را کنترل می ... Images for ترانزیستور اثر میدانی [PDF] ﻣﯿﺪان ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮر اﺛﺮ FET www.khanzadi.ir/FET.pdf‎Cached Similarﺑﻮﺳﯿﻠﻪ اﺛﺮ ﯾﮏ ﻣﯿﺪان اﻟﮑﺘﺮﯾﮑﯽ ﺑﺮ ﺟﺮﯾﺎن اﻟﮑﺘﺮوﻧﻬﺎی. ﻋﺒﻮری از ﯾﮏ ﻧﻮع ﻧﯿﻤﻪ ﻫﺎدی ﮐﺎر ﻣﯽ ﮐﻨﺪ ﺑﻬﻤﯿﻦ دﻟﯿﻞ. Unipolar. ﻣﯽ ﺑﺎﺷﺪ . •. اﻧﻮاع. Fet. : • JFET – Junction Field Effect Transistor. • MOSFET ... ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت vista.ir/article/.../ساختار-و-طرز-کار-ترانزیستور-اثر-میدانی-فت‎Cached Similarساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت همانگونه که از نام این المام مشخص است ، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه ... Digital Electronic Tutorial - ترانزیستورهای اثر میدانی FET eterm.blogfa.com/page/physic8‎Cached Similarترانزیستورهای اثر میدانی FET. مقدمه علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه ... ساختار ترانزیستور اثر میدانی www.tebyan.net/newindex.aspx/index.aspx?pid=87881‎Cached25 مارس 2009 ... نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect ... ترانزیستور چیست و کاربرد و انواع آن - الکترونیک dmf313.ir/ترانزیستور-چیست-و-کاربرد-و-انواع-آن/‎Cached Similar1 ژوئن 2014 ... ترانزیستور اثر می‌دانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته ... avionic - ساختار و طرز کار ترانزیستور، اثر میدانی www.avionic.ir/post-16.aspx‎Cachedنیمه رسانا ها (دیود و ترانزیستور). توضیح کامل. ساختار و طرز کار ترانزیستور، اثر میدانی ( فت ). همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی ...